600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准

  凭借600 V CoolMOS? CFD7,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS? CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。

  9a0e56ae698c5c339aa56bf5fc26a0b3.jpg

  该600 V CoolMOS CFD7的前身是CoolMOS CFD2。新MOSFET的效率比它的前身或竞争性产品高出1.45%之多。它不仅拥有快速开关技术的所有优势,还兼具高换相稳固性,同时不影响在设计过程中的轻松部署。该600 V CoolMOS CFD7拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外,其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低69%之多。该600 V CoolMOS CFD7可为THD和SMD器件提供业内领先的解决方案,从而能够支持高功率密度解决方案。


通知公告
编辑观点
理事会
参考资料
版权声明

凡《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)录用的文章,如作者没有关于汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权等版权的特殊声明,即视作该文章署名作者同意将该文章的汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权授予本刊,本刊有权授权本刊合作数据库、合作媒体等合作伙伴使用。同时,本刊支付的稿酬已包含上述使用的费用,特此声明。

《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)编辑部