国内光电龙头公司三安光电正从四大方面加速布局第三代半导体产业，巨头的行动似乎表明这个细分领域已进入爆发前夜。最近两天，在昆山举办的“2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛”上，5G与化合物半导体发展前景议题备受关注。

有业内人士对记者分析称，随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。三安光电、国民技术(300077,股吧)、扬杰科技(300373,股吧)、海特高新(002023,股吧)等多家上市公司均已积极布局。英飞凌（Infineon）方面预计，未来GaN将占据75%的基站射频功率器件市场。

第三代半导体脱颖而出

5G时代，一部手机可能就需要16颗PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大规模天线（Massive MIMO）、滤波器等，这给第三代半导体带来发展机遇。

国家已经在大力扶持第三代半导体产业。去年国务院出台了《“十三五”国家科技创新规划》，明确提出以第三代半导体材料等为核心，抢占先进电子材料技术的制高点。

有市场研究报告显示，2016年全球射频前端市场规模为125亿美元，预计到2022年将达到259亿美元，年复合增长率为12.9%；其中，就滤波器来说，预计到2022年全球市场规模将达到160亿美元。

多家A股公司已布局

“在第三代半导体方面，三安光电将利用安芯基金，在RF射频、光通信、滤波器、电力电子等方面进行布局，目标是建设面向下一代无线通信GaN器件平台。”在本届高峰论坛上，三安光电RF市场总监陈文欣明确指出了公司具体布局方向。

作为光电龙头，三安光电早就大手笔布局第三代半导体。2015年6月，三安光电引入国家集成电路产业投资基金（简称大基金），意在推动以III—V 族化合物半导体为重点的集成电路业务进一步做大做强。此后，公司联合福建省、大基金等共同设立了规模500亿的“福建省安芯产业投资基金合伙企业”（简称安芯基金，首期规模75.1亿元）。

在今年半年报里，三安光电披露，子公司厦门市三安集成电路有限公司（承担第三代半导体业务）已向47家公司提交样品，其中11颗芯片进入微量产，此外还布局了光通讯芯片、滤波器等领域。据悉，三安光电目前在第三代半导体业务上首先聚焦移动终端，产品已实现小规模量产，每月订单近百片wafer（晶圆），预计2018年至2019年将对公司业绩产生贡献。

除三安光电外，扬杰科技、海特高新、国民技术等多家上市公司均已涉足第三代半导体业务。

扬杰科技在近期接受机构调研时表示，其碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。早在2015年7月，扬杰科技即锚定第三代半导体，定增募资不超过10亿元，用于SiC芯片、器件研发及产业化建设等项目。公司在半年报中表示，持续推进第三代宽禁带半导体项目的研发及产业化，针对650V/1200V碳化硅JBS产品，开发并改进可与硅线相互兼容的生产工艺，以增强产能结构实时调整的能动性。

国民技术则刚刚开始抢滩这个新兴领域。公司8月15日披露，其全资子公司深圳前海国民公司与成都邛崃市人民政府签订《化合物半导体生态产业园项目投资协议书》，由前者组织资金，以第二、三代化合物半导体外延片材料为核心基础，在邛崃市打造化合物半导体产业链生态圈，项目总投资将不少于80亿元，预计三年初具规模。