台积电与三星的晶圆领域均已经进入了 10nm 制程，半导体大厂英特尔(Intel）也不甘示弱，今天在中国北京所举办的尖端制造大会上，英特尔正式公布了自家的 10 nm 制程技术，以及全球首次对外展示的 10 nm 晶圆。英特尔还宣布，该公司将会在接下来的技术大会上，除了介绍自家的 10 nm 制程技术之外，同时也将于竞争对手，也就是台积电以及三星的 10 nm 制程技术进行比较。

在本次大会上，英特尔制程架构总监 Mark T.Bohr 发布了英特尔的 10 nm 制程技术。Mark T.Bohr 表示，与台积电和三星等竞争对手相比，可以看出英特尔的 10 nm 制程在鳍片的间距、栅极间距都低于台积电和三星，而且最小金属间距更是大幅领先竞争对手。

另外，从最终逻辑晶体管密度参数上面，英特尔的 10 nm 制程技术能够达到每平方毫米 1 亿晶体数，而台积电为 4800 万，三星为 5160 万，也就是说英特尔的 10nm 制程技术的晶体密度是台积电的 2 倍还多。

另外，英特尔执行副总裁 Stacy J.Smith 做完英特尔未来战略演讲后，Smith 还向全世界首次展示了以最新 10 nm 制成技术所打造的圆晶，这也是未来 Cannon Lake CPU 的最基础部分。这次是英特尔首次全球展示 10 nm 的圆晶，虽然英特尔表示自家的 10 nm 制成技术还将会领先竞争对手很多，而且未来还会有 10 nm+ 以及 10nm++ 制程技术。

不过在目前英特尔还没有对最新的 10nm 制成技术透露更多的技术资讯。英特尔已经表示，将会在 2017 年底前正式投产 10 nm 制成技术的处理器。