本次鉴定会由中国电子学会组织，西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任，中国IGBT技术创新与产业联盟、中电集团五十五所、电子科技大学、北京大学、全球能源互联网研究院、中科院电工所和中科院物理所等各单位专家担任鉴定会委员。鉴定委员会认真听取了项目完成单位关于该成果的研制报告、技术报告、用户使用报告及经济效益和社会效益分析报告，审阅了查新报告、测试报告和资料审查报告等相关技术资料。

“高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目实现了高性能SiC SBD 650V／150A、1200V／100A、1700V／50A、3300V／32A和5000V／3A 五个代表品种和SiC MOSFET 600V／5A、1200V／20A 和1700V／5A 三个代表品种，部分产品已应用于光伏逆变、轨道交通、电动汽车等领域。

经质询和讨论，鉴定委员会认为该项目在高功率SiC器件结构设计、关键制造工艺和界面态控制等技术取得突破，器件性能达到国内领先、国际先进水平，成果已经在地铁车辆牵引系统运行6000公里，光伏电场挂机发电19．5MWh，混合动力城市客车运行9469公里，具有良好的社会和经济效益。鉴定委员会一致同意该项目成果通过科技成果鉴定。