三星欲扩大在华闪存芯片产能

近日消息,三星电子称预计未来三年将投资70亿美元,扩大其在中国西安工厂的NAND闪存芯片(晶片)生产。

据路透社报道,该公司在一份监管文件中称,28日已批准70亿美元预期投资中的23亿美元支出。

报道称,三星电子7月初曾宣布一项在韩国的186亿美元投资,当时就表示将于西安的NAND芯片工厂新增一条生产线,但当时并未设定投资总额。

对于这项获得批准或经过计划的投资所能增添的产能总量,三星电子一名发言人未做评论。

研究顾问机构IHS最新数据显示,三星电子今年4至6月NAND闪存芯片营收,占全球比率达38.3%。

1504082258985325.jpg

三星电子人员展示本公司生产的NAND闪存芯片


通知公告
编辑观点
理事会
参考资料
版权声明

凡《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)录用的文章,如作者没有关于汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权等版权的特殊声明,即视作该文章署名作者同意将该文章的汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权授予本刊,本刊有权授权本刊合作数据库、合作媒体等合作伙伴使用。同时,本刊支付的稿酬已包含上述使用的费用,特此声明。

《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)编辑部