中国高端制造又一颗新星闪耀，掌握5nm刻蚀机技术，与半导体设备巨头专利交手并赢得胜利，国内第一大半导体设备制造商再创佳绩，成为台积电最先进7nm工艺设备供应商。

据台媒报道，目前台积电的7nm布局最积极，近期台积电更是转变了7nm制程设备的采购策略，将应用材料(AppliedMaterials)、科林研发(LAM)、东京威力科创(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半导体5大设备商均纳入采购名单，致力平衡7nm制程设备商生态价格。

值得注意的是，中微半导体是唯一进入台积电7nm制程蚀刻设备的大陆本土设备商。据悉，中微与台积电在28nm制程时便已开始合作，并一直延续到10nm制程，以及现在的7nm制程。未来，中微也将与台积电跨入下一世代5nm合作。此外，中微也将与联电展开14nm工艺制程的合作。

为符合大陆半导体设备国产化的政策目标，2016年，有两家大陆半导体设备商获得国家集成电路产业基金(大基金)投资。其中一家便是中微半导体，获得4.8亿元投资；另一家是上海微电子设备(SMEE)。

今年4月，中微半导体CEO尹志尧在公共场合表示，目前中微半导体在全球各地已经建置共计582台刻蚀反应台，并预期今年将增长至770台。目前中微半导体产品已经进入第三代10nm、7nm工艺，并进入晶圆厂验证生产阶段，即将进入下一世代5nm、甚至3.5nm工艺。

据尹志尧透露，过去几年公司销售维持30-35%增长率，预期2017年增长率将达到80%。2017年，中微销售将达11亿元人民币，在此基础上，未来十年将持续开发新产品，扩大市场占有率，中微的目标是：2020年20亿元、2050年50亿元，并进入国际五强半导体设备公司。

目前，中微有460多个介质刻蚀反应台，并在海内外27条生产线上生产了约4000多万片晶圆；同时，中微还开发了12英寸的电感型等离子体ICP刻蚀机；此外，中微还开发了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蚀设备，不仅占有约50%的国内市场，而且已进入台湾、新加坡、日本和欧洲市场，尤其在MEMS领域拥有意法半导体（ST）、博世半导体（BOSCH）等国际大客户。

在专利方面，中微共申请了超过800件相关专利，其中绝大部分是发明专利，目前有一半以上已获授权。

公司董事长尹志尧博士简介

尹志尧出生于北京，中学就读于北京四中，本科及硕士分别毕业于中科大、北大，1980年赴美留学，获得加州大学物理化学博士学位。先后在intel、LAM技术部门工作，1991年后一直在美国硅谷从事半导体行业，在世界最大的百亿美元的半导体设备企业——美国应用材料公司担任总公司副总裁，曾被誉为“硅谷最有成就的华人之一”，参与了美国几代等离子体刻蚀机的研发，在半导体行业20多年，拥有60多项专利技术。然而在2004年，60岁的他依然放弃美国的百万美元的年薪，冲破美国政府的层层审查，所有的工艺配方、设计图纸都被美国没收。带领之三十多人的团队回到中国，创建中微公司。