东芝今日宣布其成功开发出了全球首款 4-bit 3D  闪存(QLC)，有望带来更低的制造成本和更高的存储密度。闪存通过一串带有电荷的浮动门晶体管来存储数据(赋予“0”或“1”即  1-bit)，这些存储块可以二维(平面型 NAND)或三维(3D  NAND)堆叠的形式排列，然后用更多电荷值来对应存储更多位元的信息。比如四级(2-bit)闪存被称为 MLC、八级(3-bit)则为称为 TLC 。

QLC 进一步提升到了 16 级(4-bit)，可将每格划分出 16 个单元，从而实现更大的存储容量。曾几何时，业界难以突破 TLC  所需区分的精确电荷。但最新的进展是，东芝已开发出了 64 层堆叠的 QLC 3D NAND 。

该方法将核心存储容量提升到了 768 gigabit，较 TLC 的 512 gigabit 有了显著提升。东芝表示，新 QLC 核心能够 16  片堆叠，从而实现 1.5TB 的存储容量。

据悉，东芝已于本月早些时候开始向制造商出货 3D QLC NAND 样片，以供其评估。至于其何时走向消费级市场，目前暂不得而知。