日前，IBM联合三星宣布了一项名为nanosheets的晶体管制造技术。该技术抛弃了标准的FinFET架构，采用全新的四层堆叠纳米材料。这项技术为研发5nm芯片奠定了基础。IBM表示，借助该项技术，芯片制造商可以在指甲盖大小的芯片面积里，塞下将近300亿个晶体管。要知道，高通不久前发布的采用10nm工艺的旗舰芯片骁龙835，也才不过集成了30亿个晶体管。

　　5nm芯片将采用与7nm芯片相同的紫外线光刻技术。不过与现有技术相比，新一代工艺的光波能量将高出许多，同时还支持在制造过程中持续调节芯片的功耗和性能。

　　IBM表示，相比目前最先进的10nm芯片，5nm 原型芯片在额定功率下的性能可提升40%，或在同等性能下降低高达75%的能耗，而且成本更加低廉。

　　不过鉴于10nm工艺也才刚刚投入商用不久，7nm芯片则要等到2019年，5nm工艺仍然需要漫长的等待。