内存是半导体的主力产品之一，目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品。

不过，由于DRAM必须持续上电才能保存数据，NAND  Flash又有读写速度较DRAM慢，且读写次数相对有限的先天限制，因此内存业者一直试图发展出新的内存架构，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非挥发特性。

根据研究机构Tech Insights估计，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代内存，都已陆续进入小量生产阶段。  不过，这些新兴内存技术中，除了少数例外，要发展到能跟DRAM、NAND Flash分庭抗礼的程度，恐怕还需要很长的一段时间，因为DRAM与NAND  Flash已具备极为庞大的经济规模，即便新兴内存技术在性能方面明显优于现有内存，在供货稳定度、成本方面也未必能与现有内存技术比拚。

有鉴于此，某些新兴内存技术选择朝利基市场发展，抢攻DRAM、NAND  Flash不适合应用的领域，例如德州仪器(TI)、柏士半导体(Cypress)、富士通微电子(Fujitsu)的FRAM，便主要锁定汽车应用或作为微控制器(MCU)的内嵌内存。