余承东日前爆料称，P10系列手机混用UFS和EMMC两种闪存方案的核心原因，就是供应链Flash严重缺货，华为的存储至今还处于缺货之中。那么，NAND Flash制造商如今产能状况如何？缺货问题何时能够得到缓解？

据DIGITIMES报道，全球存储器主要的几家大型原厂开始针对3D NAND Flash提高产能，包括三星电子、SK海力士、东芝、美光、英特尔等，3D NAND产能将有望在今年下半年放量。有后段封测厂表示，供给紧缺局面得到稍微缓解、价格回稳，至少要等到2017年第三季度。

主要是因为2017年存储器大厂将工艺从2D NAND转换到3D NAND的过程中，良率一直不稳定，2D NAND需求旺盛产能满载，总体闪存产能供给减少，造成NAND Flash价格上涨、供需紧张局面。半导体相关厂商表示，韩厂2017年下半年将陆续量产，三星的64层3D NAND、SK海力士的72层3D NAND领先业界。

三星两年前斥资144亿美元建设的平泽工厂基本完工了，三星称其为世界最大的半导体工厂，预计7月份正式投产，主要生产64层堆栈的新一代3D NAND闪存。

平泽工厂预计会在7月份正式投产，虽然号称是全球最大的半导体工厂，不过产能提升也是有个过程的，今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。三星平面及3D闪存工厂加起来每月产能大约是45万片晶圆，平泽工厂将占据10-20%的份额。

三星平泽工厂在未来两三年内可能还是最大的半导体工厂，不过这个最大工厂的名头很有可能被中国的长江存储科技取代——该公司在武汉、南京建设的晶圆厂规模更大，2020年时每个晶圆厂月产能可达30万片晶圆（还是12英寸的），真要投产了这两个工厂的产能就足以比肩三星全部NAND工厂产能，而武汉基地规划的产能最终是在2030年达到每月100万片晶圆。目前，紫光集团正在通过旗下上市平台紫光国芯并购长江存储公司。

与台湾存储产业关系密切的美光科技，预计2017年第二季度实现64层3D NAND的量产工作，2017年下半年开始有望放量生产。日本厂商东芝半导体业率先锁定了64层3D NAND Flash产品，扩大持续扩大3D NAND产能。

英特尔大连工厂已于2016年底量产3D NAND，2017年下半年更会生产新一代3D XPoint存储器——NVM非挥发性存储器，效能大胜于NAND Flash。目前，英特尔仅推出第一款采用3D Xpoint之固态硬盘。后段封测代工厂力成表示，美光的3D NAND和英特尔3D XPoint订单增长，第二季度将优于第一季度。由于具有相当难度，交期恐怕延长。

有存储业者表示，预估2017年上半年DRAM、NAND Flash缺货涨价行情会持续，市场进入第三季度，随着国际大厂陆续放量生产3D NAND，整体NAND Flash涨价态势稍微趋缓，产业供需紧张可望稍微调整脚步。