高通旗舰处理器骁龙835已经曝光多次，该处理将采用三星10nm制程。现在又有网友曝光了骁龙835规格参数，称骁龙835的主频为3.0GHz，并采用八核设计。

　　爆料称，骁龙835将采用10nm八核心设计，大小核均为Kryo架构，大核心频率3GHz，小核心频率2.4GHz，GPU为Adreno 540，支持4K屏、UFS 2.1、双摄以及LPDDR4x四通道内存，整合了Cat.16基带。

　　高通方面还透露，骁龙835处理器还将支持全新的Quick Charge 4.0快充技术。其充电5分钟可以延长手机使用时长5小时，充电效率比之前增加30%。此外QC 4.0还集成了对USB-C和USB-PD(Power Delivery)的支持，适配范围更广泛。

　　虽然高通表示搭载骁龙835会在明年初出货，但要到明年二季度才能看到骁龙835手机。对此业内人士猜测，此次高通与三星合作研发，很可能意味着三星下一代旗舰机型Galaxy S8将首发骁龙835。根据早前消息三星S8的发布会时间确定为MWC2017年之前，也就是2017年2月26日前后。另按照此前生产手机的流程，三星现在已经向零组件供应商下订单出货，生产工作会在年底前开始。

　　除了骁龙835，还有一款骁龙660也将在明年发布，该处理器同样是八核心设计，不过制程工艺换成了14nm，架构为A73和A53组合，GPU为Adreno 512，支持2K屏。其余规格还包括双通道LPDDR4x内存、LTE Cat.10基带，QC4.0、以及UFS 2.1等等。

　　爆料人士称，搭载骁龙660的手机有望在明年第三季度和我们见面。