晶圆代工大厂格罗方德（GlobalFoundries）技术长帕顿（Gary Patton）日前说明在2014年买下IBM半导体事业后有关14纳米及7纳米技术发展近况。同时，为与同业建立市场区隔，格罗方德也投入FD-SOI（全耗尽型绝缘层上覆硅）市场，并推出22/12FDX制程平台抢进物联网芯片代工市场。

　　近期市场传出格罗方德可能暂缓大陆重庆合资晶圆厂的计划，帕顿予以否认，并表示在大陆拥有自己的生产据点是很重要的策略，预期未来几年格罗方德在大陆的营收将有倍数成长，而未来重庆厂主要角色是支援新加坡厂的产能及技术，会先由0.13/0.18微米制程开始。

　　格罗方德向三星取得14纳米技术授权后，目前已进入量产。帕顿表示，在14纳米部分，格罗方德去年第4季良率提升到成熟稳定阶段后，今年第2季顺利推出基于14纳米的制程设计套件（PDK），格罗方德至今已出货数百万颗14纳米芯片，同时有超过30个客户共同合作。

　　7纳米技术部分，格罗方德预计2018年第1季进行风险生产，已有客户进行设计及认证，主要针对高效能运算市场所设计，特别是在服务器及资料中心采用的芯片。由于7纳米制程的功耗上明显优于上一代的14纳米，也十分适合应用在5G基础建设等网络通讯处理器市场。

　　至于在价格竞争较激烈的移动设备应用处理器部分，格罗方德也会提供7纳米晶圆代工服务，除了每片晶圆可切割的芯片数可较上代的14纳米多出1倍，每颗芯片成本可降低30%，最明显的仍是在功耗上的降低可大于60%。

　　帕顿说明，7纳米的设计上是可以支援极紫外光（EUV）微影技术，虽然目前主要仍是采用浸润式微影，但只要EUV技术可以进入量产，格罗方德的7纳米也可以直接转进采用EUV微影技术。而来自IBM的团队也提供了格罗方德很大的研发能力。

　　格罗方德也推出针对物联网低功耗芯片量身打造的22纳米制程及22FDX平台，该制程主要是基于FD-SOI制程开发出来的，除了可提供非常低功耗、达到类似鳍式场效电晶体（FinFET）的效能外，在成本上则与传统28纳米制程相近。

　　格罗方德22FDX平台已在今年第2季推出制程设计套件，约有50个客户共同加入合作，预期在今年第4季进行风险生产，明年第1季可以进入量产。格罗方德也宣布将在2019年推进至12纳米的12FDX制程平台，等于提供完整的制程微缩及建立起FD-SOI技术蓝图。