场效应晶体管开关电路

场效应晶体管（简称场效应管）有结型（J-FET）和绝缘栅型（MOS-FET）两类。

场效应管作为开关器件应用类似双极型三极管，许多场合可代替双极型三极管。然而与双极型二极管比较具有一些重要特性。

1、输入阻抗高

场效应管是电压控制器件，无论其导通或截止，输入阻抗都很高，尤其MOS-FET，几乎不取控制信号源电流。

2、双向导电特性

场效应管的漏和源有相同的结构而特性相同，只要衬底不与源相接，源和漏可互换使用，因而具有双向导电的特点，比双极三极管应用灵活。

3、漏电小

场效应管在截止时，漏源之间阻抗非常高，因而漏电非常微小，绝缘度高。

4、内阻大

场效应管导通时比双极型三极管大，这一缺点限制了它的应用范围，应用时可采用源极跟随器等措施加以克服。

5、MOS-FET易损坏

MOS-FET的栅极易被电压击穿而损坏，使用时应加保护措施。