据韩媒BusinessKorea报道，IBM和三星近日在IEEE上发布研究论文称，两家公司联手打造了一种被称为STT-MRAM的新内存，有望成为目前DRAM内存的最实际接替者。

　　DRAM，即动态随机存取存储器，目前最大的发展障碍就是其很难被压缩至10nm以下，因此两家公司研发的STT-MRAM(自旋传输磁性记忆体)首先就将解决这一问题。

　　另外，新内存也将拥有更高的传输速度且更加省电，理论性能也将超越DRAM。

　　业界认为，这可能是目前DRAM的最佳接替者，因为95%的DRAM制造设施都可以用于接下来的STT-MRAM的生产，这将大大降低成本并缩短换代周期。