据海外媒体报道，DRAM 发展快到尽头，磁性存储器（MRAM）和相变存储器（PRAM）是最有潜力的接班人？IBM 和三星电子最近宣称，“自旋传输磁性存储器（STT-MRAM）”的研究出现突破，有望加速走上商用之途。　

　　韩媒 BusinessKorea 11 日报导，IBM 和三星在电机电子工程师学会（IEEE）发布研究论文宣称，两家公司携手研发的 STT-MRAM 的生产技术，成功实现 10 纳秒（nanosecond）的传输速度和超省电架构，理论上表现超越 DRAM。

　　STT-MRAM 借着改变薄膜内的电子旋转方向、控制电流，表现效能和价格竞争力都优于 DRAM。最重要的是，DRAM 很难微缩至 10 纳米以下，STT-MRAM 则没有此一困扰。业界人士表示，STT-MRAM 是次世代存储器中最实际的替代方案，95% 的现行 DRAM 产设备皆可用于制造 STT-MRAM。IBM 和三星之外，SK 海力士（SK Hynix）和东芝（Toshiba）也协力研发此一技术。

　　除了 STT-MRAM，近来相变存储器（PRAM）也备受瞩目，英特尔的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技术。PRMA 结合 DRAM 和 NAND Flash 优点，速度和耐用性提高 1 千倍，不过目前仍在理论阶段。