富士电机与香港科技大学组成的研究小组在“ISPSD 2016”上发布了可缩小二极管的边缘终端（Eedge Termination）区域的新技术。与以往设置保护环的边缘终端相比，该技术可使边缘终端的长度缩短至1/5以下。

　 　随着二极管不断实现微细化，作为元件发挥作用的主动区域越来越小，边缘终端在二极管芯片中所占的比例则越来越大。尤其是输出电流较小的二极管，边缘终端 所占的比例更大。在用于白色家电等的耐压600V的5A二极管中，边缘终端的长度约为350μm，在整个芯片面积中所占的比例达到了约55％。因此，该研 究小组开始研究如何缩小边缘终端。

　　此次采用了在二极管表面挖掘沟槽，然后用“BCB（苯并环丁烯）”等填充沟槽的结构。在主动区域为 0.55mm2（相当于2A）的情况下，采用该结构设置边缘终端，仅以35μm的长度就获得了755V的耐压特性。据介绍，这一数值还不到以往采用保护环 方式的边缘终端的1/5。