新闻要点：

　　·IC-CAP 为建立 GaN 和 GaAs HEMT 模型提供完整的 DynaFET 系统解决方案，同时大幅提升测量速度

　　·MBP 支持 用于FDSOI技术的BSIM-IMG模型

　　·MQA 为混合 SPICE 语法和16-nm TSMC 建模接口（TMI）程序库提供支持

　　2016 年 3 月 11 日，北京――是德科技公司（NYSE：KEYS）日前宣布，推出最新版本的器件建模和表征软件套件：集成电路表征和分析程序（IC-CAP）2016、模型建立程序（MBP） 2016 和模型质量检验（MQA）2016。该软件版本通过在建模和表征效率方面的改进，使设计师能够表征并建立半导体器件模型。

　　IC-CAP 2016

　　是德科技的 IC-CAP 2016 软件是一个可为当今半导体建模工艺提供强大表征与分析能力的器件建模程序。IC-CAP 2016 提供了完整的 DynaFET 系统解决方案，用于为功率放大器（PA）应用中使用的 GaN 和 GaAs HEMT 建模。IC-CAP 包括测量和建模软件，以提取先进设计系统（ADS）DynaFET－一个自行开发的 GaAs 和 GaN HEMT 器件模型。

　　ADS DynaFET 模型的关键优势是其能够精确预测由于热量和捕获现象所造成的动态记忆效应，这一成果反之又能为预测增益和功率增加效率（PAE）提供前所未有的精度——二者均为射频 PA 电路设计中的关键品质因数。专用测量软件可使用是德科技非线性网络分析仪（NVNA）收集大信号数据。这些波形代表着在不同的射频功率、偏置点和输出阻抗处所测得的动态负载线，然后直接加载至IC-CAP 2016 的提取包。这一模型使用人工神经网络（ANN）来提取，并可直接在 ADS 软件中使用。

　　IC-CAP 2016 的另一关键特征是为是德科技E5270、B1500A 和 B1505A 仪器驱动程序提供和之前版本相比达三倍的测量速度的改进。这一速度的提升有助于缓解必须要以极高精度测量大量数据所面临的挑战；该过程在此前是一个极为耗时的过程。IC-CAP 2016 还增添了新的仪器驱动程序以支持 是德科技E4990 阻抗分析仪 和 E5061B 网络分析仪。