昨日，小米5发布会上雷军提到了小米5采用了全新的UFS2.0存储芯片，速度比eMMC5.0快87%。现在三星宣布业界首款256GB UFS2.0内部存储芯片诞生了，它将主要运用于高端智能手机等设备。显然Galaxy S7和Galaxy S7 Edge是与该芯片失之交臂了，后续的Galaxy Note6有望跟进，或者三星后续推出256GB版本的Galaxy S7也不一定。

　　实际上在去年Galaxy S6发布之际，三星就表示他们将进入UFS2.0解决方案的研发，并指出这是移动存储的未来。UFS2.0不仅读写速度更快，而且读写能同时进行。当时Galaxy S6发布之际，三星公布了行业首款128GB UFS2.0芯片，S6自然也率先用上了这一技术。

　　就具体性能而言，三星称256GB UFS2.0芯片最大读取速度可达850MB/s，写入速度最大可达260MB/s，读取速度几乎两倍于普通的SSD，写入速度几乎是高端microSD卡的三倍。另外三星表示该芯片体型要比microSD卡小很多，给予了手机厂商更多的设计空间。