随着原厂NAND Flash工艺向1znm推进，NAND Flash良率、性能等受到影响，单颗NAND Flash Die容量也很难突破128Gb。为了降低成本提高市场竞争力，以及生产更好性能的NAND Flash，三星最早在2013年推出24层3D NAND， 2015上半年3D NAND以32层TLC量产为主，Q4开始投入48层TLC量产，并将NAND Flash Die容量提高至256Gb，推出高达1.6TB的SSD，规划2016年底实现64层TLC量产。三星3D NAND除了在大陆西安厂投产，2015上半年还宣布投资150亿美金在韩国平泽市新建工厂，主要用于2D 10nm量产和3D技术的发展，预计2017年投入生产。

东芝/闪迪在2015下半年有48层3D NAND样品，除在Fab 5二期工厂生产3D NAND，还把Fab 2改成3D NAND量产专用工厂，预计2016年开始投入生产；美光从2015年Q2在新加坡工厂少量生产32层3D MLC NAND，而且还投资40亿美金在新加坡新建Fab 10x工厂，为2016年量产下一代3D NAND准备，预估满载月产能大约14万片；SK 海力士也新建了一座M14工厂，将于2016年生产20nm DRAM和3D NAND。

与2D工艺相比，3D技术具有更高的速度，更低的功耗、更长的使用寿命和更大的容量，但三星32层TLC 3D NAND成本仅介于2D 19nm TLC与16nm TLC之间，缺乏竞争力。2016年3D技术进入48层256Gb TLC NAND，再加上Flash原厂3D NAND投产竞争下，3D技术将越来越有成本优势，预计2016年底3D NAND市场占有率将达20%，2018年将提高到45%，逐渐成为NAND Flash主流。

（来源：中国闪存市场）