中国上海 ，2016  年 2 月 月 18  日 讯—今日，恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI，以下简称“恩智浦”）与中芯国际宣布共同开展长期技术研发与本地化合作，支持“中国制造 2025”，推动中国半导体产业创新升级。双方将通过联合创新，共同开发全球领先的高性能超低功耗带嵌入式闪存技术的混合信号产品制造工艺。

       双方将在工信部的指导和支持下，积极整合国际研发技术和优势资源，建立战略性合作项目服务于中国市场，进一步推动本地集成电路技术发展和中国制造业创新升级。中芯国际提供国内最先进的 40纳米标准 CMOS数模混合电路工艺平台，恩智浦将全球最先进的 40纳米嵌入式闪存技术根植于中芯国际的工艺平台。联合开发的新工艺将满足高性能超低功耗产品大批量生产的严格要

求，并对国内高性能混合电路产品领域的人才培育起到重要推动作用。

       恩智浦全球市场销售资深副总裁兼中国区总裁郑力先生表示：“恩智浦深耕中国 30 余年，始终本着‘科技创新，合作共赢’的理念，积极推动与国内同行企业的交流与合作。在工信部支持下与中芯国际的合作，是恩智浦践行对中国长期承诺的重要里程碑。我们希望通过这次合作，与中国的行业伙伴共同开发先进的安全互联技术，为中国本地半导体行业的技术创新和研发能力提升做出贡献。”

       中芯国际执行副总裁李智先生表示：“作为国内规模最大、技术最先进的集成电路晶圆制造企业，中芯国际始终秉承开放的胸怀与产业链上下游密切合作，强强联手共同推动中国半导体产业的发展。我们很高兴与恩智浦在40纳米嵌入式闪存领域展开合作，这将进一步强化中芯国际与国际领先半导体企业的联合开发与创新，更好地服务中国市场，推动‘中国制造2025’的实现。同时，我们也期待其未来能有更多的国际顶尖企业‘走进来’与国内制造企业合作，共同壮大并完善中国半导体产业生态系统，实现合作共赢。”