2016年2月5日，北京讯——ARM 宣布，从即日起全球晶圆专工领导者联华电子（UMC）的28纳米28HPCU工艺可采用ARM® Artisan® 物理IP平台和ARM POP™ IP。

       此举将扩大ARM在 28纳米IP的领先地位，使得ARM的生态合作伙伴能够通过所有主要的晶圆代工厂获得最广泛的28纳米基础IP。该全面性平台包括标准元件库（standard cell libraries）和记忆编译器（memory compilers）以及POP技术，可支持获业界广泛采用的64位ARM Cortex®-A53，以及应用于超过10亿部手机的高能效ARM Cortex-A7。

       ARM物理设计事业部总经理Will Abbey表示：”对于越来越多要求低功耗的应用来说，28纳米处理器节点技术始终被认为是最合适的解决方案。联华电子与ARM共同推出的全面性28纳米平台，包括了能支持ARM最受欢迎两款处理器核心的POP IP。这将通过优化系统级芯片 (SoC)实施，实现与移动、物联网和嵌入式市场的创新同步。”

       广获市场采用的ARM基础28纳米IP，为业界所有领先的晶圆代工厂提供一致的逻辑架构，并赋予多源外包更高的灵活性。这将有利于现有及新的28纳米SoC设计，快速满足数十亿连网设备的需求。通过采用联华电子28HPCU工艺的POP IP，客户可以更快速地响应市场需求变化并把握新的商机。

       联华电子利用28纳米的长节点特性，帮助越来越多应用获取价格和性能优势。联华电子的28HPCU是第二代HKMG 28纳米工艺，它拥有比联华电子量产的28HPM技术更佳的功耗和性能表现。采用更严格的工艺控制和SPICE模型，联华电子的28HPCU在任何特定的性能阀值条件下都能降低功耗并减少面积。

       联华电子企业营销副总简山杰表示：“作为全球少数能够提供28纳米后闸极(gate-last)HKMG工艺的晶圆代工厂之一，联华电子凭借在28纳米领域所积累的经验优势，将推动28HPCU工艺实现量产。许多来自不同应用领域的客户已与联华电子达成合作，采用28HPCU工艺设计产品。通过与ARM之间的长期合作，联华电子能够为ARM两款极高能效的处理器核提供全面的POP IP设计平台。”