中国的集成电路产业起步于1965年，先后经历了自主创业(1965~1980)、引进提高(1981~1989 )和重点建设(1990~1999 )三个发展阶段。经过40多年的发展，从无到有、从小到大，不但初步形成了一定的产业规模，并且在基础研究、技术开发、人才培养等方面都取得了较大成绩，特别是最近几年，国内集成电路产业得到比以往更迅速的发展。以2000年国务院18号文件的颁布为标志，中国集成电路产业进入了全面快速发展的新阶段。

　　中国集成电路产业规模增长

　　1979年到1993年 国内集成电路产业发展比较缓慢，总产量一直未能超过1 亿块的规模；

　　1994 年 产量开始迅速上升，并以高增长率稳步提高；

　　2003年 总产量首次突破100亿块；

　　2006年 总销售额首次突破干亿元大关；

　　2014年 总产量达到1034.8亿块，销售额达到3015.4亿元。

　　中国集成电路产业规模由1997年不足世界集成电路产业总规模的0.6%提高到2014年的15%，中国由此而成为同期世界集成电路产业发展最快的地区之一。同时，也形成了一批以中芯国际、海思半导体、展讯、华润微电子为代表的半导体重点企业。

　　2012~2014年中国及全球集成电路产业销售收入规模及增长（单位：亿元）

　　中国集成电路产业结构

　　目前中国集成电路产业结构逐步由大而全的综合制造模式走向设计、制造、封装测试三业并举、各自相对独立发展的格局。

　　中国集成电路生产线

　　近10 年间，中国集成电路生产线的主流技术已由5 英寸、6 英寸提升到8英寸、12 英寸;工艺水平由0.5 微米以上工艺水平提升到0.18 微米~0.25 微米、110 纳米、90 纳米55 纳米和40 纳米。2014 年，中国集成电路生产线达到68 条，其中12 寸1 8 条、8 寸17 条、6 寸20 条。

　　2014年中国6英寸以上集成电路芯片生产线地区分布

　　以中芯国际、华虹宏力、华力微电子等为代表的本土集成电路企业迅速崛起。中芯国际在先进技术制程方面的技术进步令人瞩目，技术水平正向28纳米提升;与此同时，以海力士、三星为代表的国际领先半导体企业先后在中国大陆投资设厂，真工艺技术也位于世界先进水平，并不断提升。

　　中国集成电路设计工艺

　　我国集成电路设计工艺技术也突飞猛进，设计水平已进入了40~28 纳米世界主流技术领域。华为海思的麒麟930处理器工艺已经达到28 纳米，而下一代处理器麒麟950 的工艺将达到16 纳米;展讯的智能手机芯片采用与处理器性能相匹配的制程，最高也达到了16 纳米工艺。这标志着中国集成电路设计业的设计工艺开始步入世界先进行列。

　　2012~2014年中国集成电路设计业销售收入及增长.