比利时微电子研究中心imec与全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ: CDNS) 今天共同宣布，使用极紫外光（EUV）及193浸式（193i）光刻技术，两家公司携手完成对5纳米测试芯片的第一次成功流片。为生产该测试芯片，imec与Cadence对设计规则、单元库及布局布线进行了全面优化，并使用Cadence? Innovus? 设计实现系统达成对功耗、性能和面积（PPA）的最优化方案。利用处理器设计、EUV光刻及用于193i光刻的自对准四重图案成型技术（Self-Aligned Quadruple Patterning, SAQP），imec和Cadence成功完成一组流片的设计和测试。流片加工过程中，金属间距由公称32nm减至24nm，将间距排列推向新的极致。

　　Innovus设计实现系统是下一代物理设计实现解决方案，系统芯片（SoC）开发人员可以在保证最佳功耗、性能和面积（PPA）的前提下缩短上市时间。得益于大规模并行架构带来的突破性优化技术，Innovus设计实现系统可以在功耗、性能和面积（PPA）指标上提升10% 到20%，并实现最高达10倍的全流程提速和容量增益。有关Innovus设计实现系统的详细信息，请参阅www.cadence.com/news/innovus。

　　“开发5nm及以下高阶几何排列的过程中，与Cadence的合作发挥了关键作用。”imec制程技术资深副总裁An Steegen表示：“我们共同开发了核心技术，使该测试芯片使用高阶技术节点成功流片成为现实。Cadence的下一代平台使用便捷，为工程团队高效完成高级节点工艺规则的设计奠定了基础。”

　　“鉴于双方合作所取得的里程碑式胜利，Cadence与imec将继续致力于推动将金属间距排列技术应用在越来越小的节点上”。Cadence数字与 Signoff事业部资深副总裁Anirudh Devgan博士表示：“imec技术及Cadence的Innovus设计实现系统开创出我们独有的设计流程，为新一代创新型移动与计算机高级节点设计的开发奠定了坚实基础。”