芯片上90GHz电浆射极击败雷射

  请遗忘为光运算而试图将雷射整合到矽晶片的想法,并替电信发射红外线讯号改用奈米修补电浆天线(Nanopatch Plasmonic Antenna,NPA),现在速度高达90GHz的NPA,也许明天就可以达到Terahertz(THz)。

  “我们希望可以加快发射速率,以建立一个超快且超高亮度的发光二极体(LED)。”杜克大学(Duke University)助理教授Maiken Mikkelsen说,这将涉及使用导电材料来产生电流到量子点(Quantum Dot,QD),以从相同的电浆架构创造更强的发射。“装置有可能在非常低的功率位准下运作—在很少的阿焦耳(Attojoules,AJ)(编按:AJ是一种能源的计算单位,1AJ等于6.241506363 伏特)—这是未来转换讯息处理和通讯的关键,不过目前受限于散热问题。”Mikkelsen表示。

  整个半导体产业一直试图进行从电子到光子的转换,以作为矽晶片上的计算讯号介质,除了射极之外,每一种矽光子元件都已被验证。不幸的是,雷射—标准的通讯射极—与矽不相容,虽然有上千种方法正被研究中,以解决这个问题。现在杜克大学电子工程师说,忘了雷射,并使用他们的NPA耦合到量子点以在晶片上连结到90GHz和更高频率,或在他们之间以超过50%的辐射量子效率。

  图片显示一个NPA(银色方块),在其上方有个金属基板(金色)用以分离一个聚合物(未标示)与胶体量子点(QD,红色)。

  杜克大学Maiken Mikkelsen的团队在“采用电将奈米天线的超快自发辐射源(Ultrafast spontaneous emission source using plasmonic nano-antennas)”一文提到,传统射极如分子、量子点和半导体量子井(Well)有1~10奈秒(ns)寿命的缓慢自发辐射,创造一个和高速奈米光电元件的不匹配,就如LED、单光子源和雷射。在这里,我们透过实验证明一个超快(小于11皮秒)的自发辐射有效来源,其相应的发射率超过90GHz。

  为了实现他们的高速交换率,研究人员利用电浆(在一个波形上共振的表面自由电子)作为奈米天线,该天线由一个银奈米立方体耦合到一个金属薄膜(20个原子的薄度)组成,并利用薄型聚合物隔离层和量子点胶体核心外壳以隔离基板。这种结构增加了自发辐射率,自发辐射率提高880倍时,可增强的萤光强度;提升到2,300倍时,可保持高效率。

  博士后研究生Gleb Akselrod(左)和Thang Hoang(右)在Maiken Mikkelsen(中)的实验室,检查他们的NPA耦合到量子点的情况。

  “我们已经从一个由电浆奈米天线耦合到胶体量子点的混和系统,证明发射速度超过11皮秒的超快自发辐射源。”Mikkelsen和同事在他们的研究报告中说。

  一个额外的好处是,透过控制奈米立方体的尺寸和绝缘电介质的间隙厚度,辐射频率可以调谐到现今所使用的电信频率。加上NPA耦合到他们的量子点并运作时,所需的电力比雷射还要低,并允许光晶片可在更低的温度运作,从而使行动装置有更长的电池续航力。

  NPA(蓝色)和量子点(红色)耦合的穿透式电子显微镜(TEM)影像。

  未来。研究人员希望光学地与电气地激发电浆奈米天线,便让这两种方式可以进一步解决最后障碍,以在传统电子装置中整合光子学。研究小组还希望能够更精准地放置量子点,以便促使萤光率能更接近THz的范围。

  本研究的资金是由空军办公室的科学研究青年基金计划(Air Force Office of Scientific Research Young Investigator Program,AFSOR YIP)、AFSOR、橡树岭联合大学(Oak Ridge Associated University,ORAU)的Ralph E. Powe青年学院提升奖(Junior Faculty Enhancement Award)、北加州贵族基金会(Lord Foundation of North Carolina),以及情报界博士后研究奖学金计画(Intelligence Community Postdoctoral Research Fellowship Program)共同赞助。


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