日本半导体 （芯片）、液晶技术研发机构「日本半导体能源研究所（SEL、Semiconductor Energy Laboratory）」已研发出可将耗电力压缩至现行1/10以下水准的下代芯片量产技术，且台湾晶圆代工大厂联电 将抢先在2016年夏天开始生产采用上述技术的CPU、存储器产品。

　　报导指出，SEL舍弃现行主流的矽、改用被称为「IGZO」的氧化物半导体的特殊结晶体，藉由形成多层电子电路 （electronic circuit）、防止电流外漏，借此达到省电的效果，除可大幅改善智能手机等电子机器的电池寿命之外，也有望促进智能手表等穿戴式装置的普及速度。

　　据报导，除CPU、存储器之外，上述新技术也可应用在传感器、逻辑集成电路 （IC）等广泛半导体产品上，借此可将智能手表等穿戴式装置的电池寿命延长至现行的约10倍水准，而SLE计画将该技术卖给全球半导体厂商、借此收取特许费。

　　报导并指出，今后半导体基础材料可能将从现行主流的矽转换成IGZO特殊结晶体，而美国英特尔（Intel）、南韩三星电子（Samsung Electronics）等全球半导体大厂也正持续关注此种技术动向。