微芯(Microchip)透过其子公司Silicon Storage Technology(SST)与GLOBALFOUNDRIES宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55奈米(nm)低功耗强化型(LPx)/RF平台的SST 55nm嵌入式SuperFlash非挥发性记忆体(NVM)产品已通过全面认证并开始投放市场。

　　GLOBALFOUNDRIES结合分离闸极单元设计的55nm SuperFlash技术的制程认证测试采用JEDEC标准。同时，这一制程技术也符合AEC-Q100 1级认证标准，环境温度范围为-40~125°C，耐用度达到100K烧写/抹除次数，在150°C条件下可实现超过20年的资料保存年限。

　　根据IHS预测，2015年汽车半导体市场规模将达到310亿美元，相较于2014年增幅可高达7.5%。而基于嵌入式快闪记忆体的半导体产品则在这一市场占有相当大的比重。

　　配备eNVM技术GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平台现已上市。该平台技术备有一个自订库，包含针对特定微控制器(MCU)产品应用有现成且经优化的eNVM IP模组，是一款可缩短产品开发周期的解决方案。