曾经负责AMD GDDR5开发的Joe Macri，日前向硬件网站techreport.com透露了AMD HBM内存细节，HBM内存用来取代高功耗、大面积占用的GDDR5内存。Joe Macri表示，HBM内存在设计上非常接近GPU，同时采用3D堆叠设计。任何HBM解决方案有三个基本组成部分：一个主芯片（一个GPU，CPU或SoC），一个或多个DRAM堆栈和下方被称为“interposer”的硅晶片，interposer完全是被动的，是没有活性的晶体管，因为它仅作为主逻辑芯片与DRAM堆叠之间的高速数据通道。
　　虽然interposer是必不可少的，HBM真正令人感兴趣的创新是堆叠存储器。每个HBM内存堆栈包括五个芯片：四个内存芯片和一个逻辑芯片。这五个芯片通过称为穿透硅通孔（TSV）垂直彼此连接。这些内存芯片是令人难以置信的薄，只有100微米。
　　这些内存芯片工作电压1.3V，工作频率500MHz，传输速率1Gbps，但是极宽的接口弥补了参数方面对GDDR5参数的劣势，每个堆栈有1024位接口宽度，每个GDDR5芯片只有32位宽度，每个堆栈并且提供128 GB/s带宽。
　　目前SK海力士正在与AMD合作生产HBM。