面对英特尔（Intel）、三星（Samsung）双双宣布旗下14纳米鳍式场效应电晶体（FinFET）处理器正式迈入量产，台积电亦不甘示弱，将于今年第二季量产16纳米FinFET强效版制程（16FF+），拉升芯片效能和功耗表现；此外，安谋国际（ARM）与赛灵思（Xilinx）也已接连揭橥  16FF+相关产品蓝图，将有助台积电在1x纳米制程市场扳回一城。

　　工研院IEK电子组系统IC与制程研究部研究经理彭茂荣表示，台积电挟在晶圆代工领域长久累积经验，在短时间内将原先规画的16纳米FinFET升级为效能更强、功耗更低的16FF+，并将量产时间提前至2015年第二季，目的除追赶半导体一哥英特尔发展脚步外，亦有防堵三星趁隙崛起的意味。即便14纳米已先一步投产，但从16FF+良率与性能不断攀升，且可望在今年底前完成数十  件设计定案（Tape Out）的进度来看，2015年16FF+市占率可望先蹲后跳。

　　安谋国际移动通讯暨数位家庭部门资深市场经理林修平指出，半导体产业正面临电晶体制造技术由平面转向立体式的转捩点，因此该公司也加紧与台积电展开16FF+设计验证，并已正式发布16FF+  POP（Process Optimization  Pack）矽智财（IP），以及支援该制程的Cortex-A72、Mali-T880等处理器核心，将有助系统单晶片（SoC）合作夥伴加速实现基于  FinFET架构的解决方案。

　　相较于三星14纳米制程目前仅能用于自家处理器的进展，台积电与安谋国际联手出击，对16FF+制程推广将大有助益。事实上，安谋国际也坦言，其与多家晶圆厂合作，分别发展16和14纳米制程，但目前仅揭橥16FF+  POP IP，在14纳米方面则尚未有对应方案；此也让未来的1x纳米FinFET技术战局更添变数。

　　赛灵思全球资深副总裁暨亚太区执行总裁汤立  人强调，看中16FF+的效能功耗比更加出色，赛灵思也延续与台积电在先进制程技术上的合作，宣布将于今年第二季量产新系列16纳米系统单晶片现场可编程 闸阵列（SoC  FPGA）--UltraScale+，可望较先前28纳米方案提高二到五倍的效能功耗比，进而满足5G行动通讯网路、400G光传输网路，以及  8K×4K影像处理机制等前瞻科技的先期研发需求。

　　台积电透露，相较于平面式电晶体结构的20纳米制程，16FF+速度增快40%，在相  同速度下功耗则降低50%，系建构下世代高阶行动运算、网通及消费性产品SoC的关键利器；现阶段，16FF+已开始试产，预计今年中全面导入量产，并将  于11月前完成所有可靠性验证，年底前则可望发表近六十件设计定案。