全球第2大NAND型快闪存储器 （Flash Memory）厂商东芝 （ Toshiba ）5日发布新闻稿宣布，为加快次世代半导体露光技术「纳米压印技术（Nano-imprint Lithography；NIL）」的研发脚步，已和南韩半导体大厂SK 海力士 （SK Hynix ）正式签署契约，双方技术人员将自2015年4月起透过东芝横滨事业所携手研发NIL制程的关键技术，目标为在2017年实用化。

　　东芝于去年12月和SK海力士（SK Hynix）就NAND Flash侵权案一事达成和解，海力士（Hynix）除同意支付东芝2.78亿美元（约330亿日圆）和解金外，双方当时也宣布将携手研发被称为「纳米压印（Nanoimprint）」的次世代半导体露光技术。

　　据日经新闻指出，东芝已于2014年开始量产全球最先端的15nm NAND Flash产品，而就现行技术来看，15nm被视为是存储器电路线幅细微化的极限，而东芝期望借由研发NIL技术、突破细微化极限，让已逼近极限的电路线幅能进一步细微化，以借此提高产品性能及成本竞争力。

　　日经指出，东芝目前已和Canon携手研发NIL制造设备，而东芝和SK 海力士（SK Hynix）于NIL制程技术的研发成果也将回馈至制造设备的研发上。

　　另据日刊工业新闻指出，东芝期望藉由NIF技术的实用化来降低3D NAND Flash的成本。