由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供应量持续增加，造成价格连续两个月下滑，业界预期若三星电子(Samsung Electronics)等业者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生产比重，后续MLC产品价格下滑情况恐将更明显。

　　根据韩媒DigitalTimes报导，由于USB、硬碟与记忆卡市场进入淡季，加上库存堆积，导致NAND Flash价格走滑，市场供给过剩情况恐持续到农历春节。业界认为目前NAND Flash下滑走势虽大部分是受到淡季影响，但2015年就算是旺季，预估价格上涨幅度也不会太大，由于厂商提升技术力及产量，预期将持续陷入供过于求困境。

　　更多NAND Flash价格系自2014年4月起维持持平或微幅上升曲线，然10月开始走下坡直到现在，刚好与三星在2014年10月宣布量产全球首款TLC 3D V-NAND时机相近，三星在12月完成华城半导体厂3位元V-NAND量产体系，2015年起固态硬碟(SSD)所有产品线将全部采用TLC技术生产。

　　另外，SK海力士(SK Hynix)亦正在开发TLC SSD，东芝(Toshiba)整体NAND Flash中约有35%采取TLC技术，美光(Micron)也从2014年底投入TLC技术量产，让TLC NAND Flash转换竞争日趋白热化。存储器业者表示，SLC(Single-Level Cell)NAND Flash市场可视为已经消失，MLC NAND Flash价格战正打得火热，如果三星等业者提高TLC产品生产比重，MLC产品价格下滑情况将更为明显。

　　尽管相较于SLC，MLC及TLC NAND Flash能增加单位面积内资料储存量，但亦导致存储器储存寿命缩短，让资料分散式软体系统更显重要，业界认为TLC NAND Flash虽然在技术上未臻完美，但成为市场主流已是时势所趋，不具备相关技术的NAND Flash制造厂，恐将在市场竞争中遭到淘汰。

　　360°：TLC SSD

　　市场预期低成本SSD解决方案TLC SSD，在2015年将会取下全球40%以上的占有率，三星电子(Samsung Electronics)抢头香推出TLC SSD后，慧荣、群联等控制晶片业者也加入战场，有助于此市场的渗透率提前攀升。

　　随着快闪存储器产业年度盛事，快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)热闹登场，各业者积极宣示新产品诞生，慧荣也推出秘密武器SATA 6Gb/s SSD控制晶片SM2256，是全球第一款搭载韧体，并支援全系列TLC NAND Flash控制晶片，支援快闪存储器制程技术包括1x/1y/1z纳米，以及未来新一代的3D TLC NAND产品。

　　慧荣M2256控制晶片搭载独有NANDXtend解错修正技术，在多层解错修正机制运作下，提升资料读写保护能力，也提升高达3倍的TLC NAND写入和抺除的次数(P/E Cycle)，目前已经进入送样测试的阶段，预计2014年第3季可进入量产。