三星电子(Samsung Electronics)为取得存储器市场70%以上获利，加速研发新技术与扩大产量。SK海力士(SK Hynix)与东芝(Toshiba)为抵挡三星独霸而联手，但技术力差距牵制不易。同时，因智能型手机事业陷低潮的三星，能否借存储器事业翻身成为焦点。

　　据韩媒E-Daily报导，三星为抢占2015年存储器半导体市场营业利益的70%正研拟策略。2015年合计DRAM与NAND Flash的整体存储器半导体营收规模预估为80兆~90兆韩元(约728亿~815亿美元)。

　　更多以业界平均营益率25%计算，营业利益约在20兆韩元~23兆韩元。三星电子若想占有70%获利，等于每一季营利达3.5兆~4兆韩元就可达成。

　　韩国证券业业预期，三星电子存储器事业部2015年每季营利在3兆韩元以上，只要业绩比市场预期稍微提高，就相当有可能达成目标。

　　三星存储器技术目前仍处于领先地位，DRAM部分以竞争业者尚未开发的20纳米制程技术为基础，成功量产8GB LPDDR4芯片，并推出伺服器用、PC用及移动装置用等所有类型产品。此外，三星也率先研发出V NAND制程TLC产品，也让初期未能量产的竞争业者更加紧张。

　　三星为了延续获利，也加速扩大产量。随着采用V-NAND的SSD市场急速成长，2014年三星又在大陆西安NAND Flash厂追加投资1兆韩元扩充设备以便增产。而为因应Mobile DRAM需求激增，之前在韩国华城厂建立的系统半导体专用17号产线，也决定部份转换为DRAM生产线。

　　为因应三星的闪电攻势，SK海力士与东芝决定结束专利诉讼组成联合阵线。东芝撤销以SK海力士为对象的1.1兆韩元规模专利损害赔偿告诉，并为了克服微细制程的界限，携手开发纳米压印(NIL)等下一代技术。

　　SK海力士相关人士表示，透过这次扩大合作，可望强化技术竞争力，并消除潜在的经营不确定性。有助于二家公司竞争市场的领先地位。

　 　然而，这次结盟能否有具体成果仍是未知数。以NAND Flash市场强者东芝的立场，SK海力士跟三星电子同为不可小觑的对手。SK海力士近几年扩大 NAND Flash相关投资，并将市占率拉高到10%。由于三星技术力大幅超前，东芝与SK海力士相互间竞争恐怕会更加激烈。