全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFETMOSFET。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20VN通道MOSFET。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列，提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻，可替代采用较大封装的MOSFET，从而节省电路板空间及系统成本。”
所有新产品均不含铅、溴和卤，符合第一级湿度敏感度标准(MSL1)及电子产品有害物质管制规定(RoHS)。
规格
|
器件 |
通道类型 |
配置 |
封装 |
VBRDSS |
最大VGS |
4.5V下的
最大导通电阻 |
2.5V下的
最大导通电阻 |
典型QG |
|
IRL6297SD |
N |
双共漏极 |
DirectFET SA |
20 |
12 |
4.9 |
6.9 |
54 |
|
IRLML2246 |
P |
单 |
SOT-23 |
-20 |
12 |
-135 |
-236 |
2.9 |
|
IRLML2244 |
P |
单 |
SOT-23 |
-20 |
12 |
-54 |
-95 |
6.9 |
|
IRLML6244 |
N |
单 |
SOT-23 |
20 |
12 |
21 |
27 |
8.9 |
|
IRLML6246 |
N |
单 |
SOT-23 |
20 |
12 |
46 |
66 |
3.5 |
|
IRLML6344 |
N |
单 |
SOT-23 |
30 |
12 |
29 |
37 |
6.8 |
|
IRLML6346 |
N |
单 |
SOT-23 |
30 |
12 |
63 |
80 |
2.9 |
|
IRLHS2242 |
P |
单 |
PQFN 2x2 |
-20 |
12 |
-31 |
-53 |
12 |
|
IRLHS6242 |
N |
单 |
PQFN 2x2 |
20 |
12 |
11.7 |
15.5 |
14 |
|
IRLHS6276 |
N |
双独立 |
PQFN 2x2 |
20 |
12 |
45 |
62 |
3.1 |
|
IRLHS6342 |
N |
单 |
PQFN 2x2 |
30 |
12 |
15.5 |
19.5 |
11 |
|
IRLHS6376 |
N |
双独立 |
PQFN 2x2 |
30 |
12 |
|
82 |
2.8 |
|
IRLTS2242 |
P |
单 |
TSOP-6 |
-20 |
12 |
-32 |
-55 |
12 |
|
IRLTS6342 |
N |
单 |
TSOP-6 |
30 |
12 |
17.5 |
22 |
11 |
产品现正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站http://www.irf.com。
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