日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其3mm x 3mm封装的SiZ340DT双片MOSFET在《今日电子》杂志的第十二届年度Top-10电源产品评奖中一举获得十佳电源产品奖和最佳应用奖等两项奖项。SiZ340DT比前一代同样封装尺寸器件的导通电阻低57%，功率密度高25% ，效率高5% ，并因此荣获Top-10电源产品奖和最佳应用奖。

《今日电子》的编辑从前一年推出的数百款产品中，根据创新的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比的卓越表现进行评选。Vishay的SiZ340DT因节省空间，在“云计算”基础设施、服务器、电信设备和各种客户端电子设备，以及移动计算应用中简化高效同步降压转换器的设计，荣获两个奖项。

SiZ340DT采用第四代TrenchFET^®技术制造，低边通道2的MOSFET在10V和4.5V栅极驱动下的导通电阻为5.1mΩ和7.0mΩ，高边通道1的MOSFET在10V和4.5V下导通电阻为9.5mΩ和13.7mΩ。同时，器件还具有较低的栅极电荷，通道1 的MOSFET和通道2的MOSFET的栅极电荷分别为5.6nC和10.1nC，从而实现较低的导通电阻与栅极电荷乘积FOM，减少传导和开关损耗，提高系统整体效率。

对于输出电流10A和15A，输出电压小于2V的典型DC/DC拓扑，SiZ340DT的PowerPAIR^®封装占位只有3mm x 3mm，比使用分立器件最多可节省77%的PCB空间。器件可减少开关损耗，实现超过450kHz的更高开关频率，通过使用更小的电感器和电容器，在不牺牲效率的同时，缩小PCB尺寸。

《今日电子》在9月25日北京国宾酒店举行Top-10电源产品奖颁奖仪式。Vishay北京办事处的销售经理Alice Wei代表Vishay领奖。完整的获奖名单见如下网址：http://www.21ic.com/wz/CRXDQWHFA/20140901/20140901.htm。

产品数据手册链接：

http://www.vishay.com/doc?62877。