日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路12V P沟道TrenchFET®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装。
　
　　通过推出SiA975DJ，Vishay将其第三代P沟道TrenchFET技术扩展到双路12V功率MOSFET，并且采用了适用于手持式电子设备的超小PowerPAK SC-70封装。新器件可用于游戏机及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、PA和电池开关。
　
　　对于这些设备，SiA975DJ的更低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件能够用比以往市场上采用超小封装的双路P沟道功率MOSFET更少的能量完成开关工作，从而延长两次充电之间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着在峰值电流下的电压降更低，能够更好地防止IC和负载出现欠压锁定情况。这样，设计者就可以使用电压更低的电池。
　
　　SiA975DJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为41mΩ、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P沟道器件的栅源电压等级为8V，在4.5V和2.5V栅极驱动下的导通电阻为60mΩ和80mΩ。这些数值分别比SiA975DJ高32%和25%。
　
　　SiA975DJ的PowerPAK SC-7封装占位只有2mm x 2mm，是TSOP-6尺寸的一半，而导通电阻则相差无几。MOSFET经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规范，符合RoHS指令2002/95/EC。
　
　　新款SiA975DJ TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。
　
VISHAY简介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。