NEC电子(欧洲)推出新型P沟道功率MOSFET产品
超低导通电阻DPAK/D2PAK封装新产品
近日,NEC电子(欧洲)宣布推出新型低电压" title="低电压">低电压电源管理器件(PMD)。该系列产品的推出使P沟道NP系列产品可覆盖-15A至-100A的漏极电流。
该系列产品采用普通的TO-252(DPAK)和TO-263(D2PAK)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40V" title="40V">40V和-60V)及可由逻辑门驱动产品。在DPAK封装系列中,低漏极电流器件(ID(DC)<50A)中的导通电阻" title="导通电阻">导通电阻(RDS(ON))为9.6mOhm(NP50P04SDG)至75mOhm(NP15P06SLG)。而在D2PAK封装系列中,额定漏极电流为-100A的器件的导通电阻(RDS(ON))则降至3.7mOhm。
能实现P-沟道功率MOSFETs超低" title="超低">超低导通阻抗(RDS(ON))值主要是因为采用了UMOS-4工艺。该工艺采用0.25um的设计规则,将单元密度提高到了160Mcells/inch2,同时降低了单位面积的导通电阻(RDS(ON))。和NP系列的其他产品一样,新产品按照AEC-Q101流程制造,额定温度为175℃,纯锡电镀管脚完全符合RoHS要求。雪崩能量从19mJ(NP15P06SLG)至550mJ(NP100P04PLG),因芯片不同而有所差异。
这一系列低导通电阻器件符合P-沟道器件在汽车电子应用中日益增长的需求。在电池反接保护、H桥直流电机驱动等标准应用中,P-沟道功率MOSFETs与N-沟道器件相比具有明显的优势。
NP系列是NEC电子低电压开关器件" title="开关器件">开关器件家族中的一员,NEC电子的低电压开关器件为电源、汽车系统、电机控制和办公室、机器人和不间断电源提供高效率的电源管理。如需获取更详细的新P-沟道功率MOSFETs和其他PMDs信息,请访问 NEC电子(欧洲)网站:www.eu.necel.com/mosfet或NEC电子(中国)www.cn.necel.com

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