Diodes公司推出新型ZXMC
Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出:“这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件,有助减省电路板空间及元件数目,同时简化栅极驱动电路设计。比方说,SO8充分发挥了节省空间的功能,其占位面积只有31 mm2,仅为两个SOT223 MOSFET的30%。”
最新双器件封装内的N与P通道MOSFET,可在10V栅极电压 (VGS) 下实现极低的栅极电荷,典型导通电阻 (RDS(ON)) 分别为230m? 和235m?,确保开关及导通损耗保持在最低水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。
Diodes Incorporated简介
Diodes Incorporated为标普低市值600指数 (S&P SmallCap 600 Index) 公司,是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商,服务市场主要面向电子消费品、计算、通信、工业和汽车制造业。Diodes的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、针对特定功能的阵列,放大器和比较器,霍尔效应传感器, 以及涵盖LED驱动器、直流-直流切换、调节器 、线性稳压器和电压参考在内的功率管理器件, 以及USB电源开关、负载开关 、电压监控程式及马达控制器等特殊功能器件。
Diodes总部设在美国德州达拉斯市;在南加州设有销售、市场、工程及物流办事处;在达拉斯、圣荷塞、台北、英国和德国设有设计中心;在密苏里州坎萨斯城及英国曼彻斯特设有晶圆制造厂;在上海设有两家制造厂、在德国诺伊豪斯设有一所,另于中国成都设有合资工厂;在香港、台北及曼彻斯特设有工程、销售、仓库及物流办事处;并在世界各地设有销售与支持办事处。
更多详尽信息,包括美国证监会档案,请浏览公司网站:http//www.diodes.com。
凡《网络安全与数据治理》(原《信息技术与网络安全》)录用的文章,如作者没有关于汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权等版权的特殊声明,即视作该文章署名作者同意将该文章的汇编权、翻译权、印刷权及电子版的复制权、信息网络传播权与发行权授予本刊,本刊有权授权本刊合作数据库、合作媒体等合作伙伴使用。同时,本刊支付的稿酬已包含上述使用的费用,特此声明。