非挥发性相变记忆体技术长久以来一直被讨论是否可取代现有的主动式记忆体和快闪记忆体，但迄今仍充满争议，因为尽管多年来有许多公司相继投入研发，但仍未达量产水准。
　　
　　不过，尽管如此，三星的研究团队仍计划在今年底(12月5~7日)的IEDM上，透过展示完全整合的20nm相变化随机存取记忆体单元，揭示PCM和电阻式RAM的最新研究进展。这个记忆体单元包含了创新的底部电极材料，这种材料主要是为了能获得低于100mA重置电流所开发的，
　　
　　在此同时，旺宏(MacronixInternational)和IBMT.JWatson研究中心的研究人员则将提出三篇论文。Paper3.2探讨具备30mA重置电流和10^9使用周期的39nm元件架构。该团队在一个电极下的热屏障中使用导热效率较差的TaN。30mA的重置电流据称已经比前一代元件降低了90%。
　　
　　另一篇Paper3.4则说明旺宏和IBM的研究小组在锗-锑-碲(GeSnTe，或GST)材料方面的探索成果，以及优于GST-225材料的新发现。(transitiontemperature)几乎高出100℃，因而具备更好的热稳定性。
　　
　　旺宏与IBM还进一步制造了一个128Mb的元件，该元件显示了10^8(1亿)的耐用循环次数，耐受温度则高达190℃。