英国ARM宣布，在于西班牙巴塞罗那举行的“Mobile World Congress（MWC）”上，展出了采用32nm工艺试制的首款ARM处理器。

    此次使用的工艺为美国IBM等公司的Common Platform技术，采用了高介电率（high-k）绝缘材料和金属栅极。试制的测试芯片上集成的ARM内核为Cortex-A9。设计的电路库使用了被ARM的物理IP(Physical IP)部门针对Common Platform的32nm/28nm工艺进行了优化的标准单元。

    ARM表示，2009年内与其建立合作关系的半导体厂商能够获得这些技术。预计2010年初配备ARM内核的32nm芯片将会面世。