2009年2月16日，西班牙巴塞罗那（移动通信世界大会）––飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率晶体管，以满足蜂窝发射器降低功耗的迫切需求。 

飞思卡尔的第八代高压 （HV8）射频功率 LDMOS 技术沿袭了公司一贯领先的射频功率晶体管技术，专门用来满足W-CDMA和WiMAX等高数据速率应用以及LTE和多载波GSM等新兴标准的严苛要求。基于HV8技术的系列器件针对先进功率放大器架构中的运行做了优化，包括与数字预失真（DPD）结合使用的Doherty。 

飞思卡尔HV8技术的首要优势是提高了运行效率，这样就帮助降低了基站系统的总功耗，进而降低了运营成本。此外，HV8还能够适应先进系统架构的更严苛的操作环境要求。 

“飞思卡尔实现了大幅的性能提高，使LDMOS继续作为功率放大器的主导技术，”飞思卡尔副总裁兼射频事业部总经理Gavin P. Woods表示，“当与先进架构结合使用或者在传统系统中使用时，我们的HV8系列都有望在下一代发射器设计中实现相当高的系统效率水平。” 

最初几款产品的功率水平将在100W至300W之间。此外，HV8产品还能够利用并扩大飞思卡尔的低成本模压封装系列，具有极高的价值，覆盖了700 MHz至2.7 GHz范围的主要频带。 

针对900 MHz频带内的运行做了优化的晶体管有望率先从HV8 射频功率 LDMOS技术中受益，以有效满足多载波GSM系统的严苛要求。Doherty参考设计专门针对MC-GSM市场做了优化，显示出出色的效率和DPD校正性能，即使是在一些最严格的信号配置条件下。 

HV8 性能

作为HV8性能的一个示例，采用双MRF8S9260H/HS晶体管的对称Doherty参考设计（针对多载波GSM应用）能够提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏极效率（在49.4 dBm (87W)的平均输出功率水平情况下）以及良好的宽带线性。DPD评估也显示，在高达20 MHz的信号带宽中，使用6个GSM载波能够很好地校正这种参考设计。 

MRF8S9260H、MRF8S9170N、MRF8S9200N和MRF8P9300H晶体管也达到了类似的性能结果。 

飞思卡尔的HV8 LDMOS平台有效满足了功率放大器制造商的成本、性能和可靠性要求，彰显了飞思卡尔致力于成为通信系统射频领导者的承诺 。 

关于飞思卡尔半导体

飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司，为汽车、消费、工业、网络和无线市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀，在全球拥有设计、研发、制造和销售机构。如需了解其它信息，请访问www.freescale.com.