
图1. 简化的EL灯结构图,显示了其电阻和电容
当EL灯电极被加上交替改变的电压时,上能级的磷电子(价电带)被激发,跃迁到更高能级。然而,高能级不稳定,所以,被激发的电子返回到最初能级,释放一个光子。由于磷粒子均匀分布,因此,EL灯辐射的光在灯表面看起来非常柔和。
频率变化会影响辐射光的颜色,而电压和频率都会影响EL灯的亮度。提高电压或者频率会增强灯的亮度,但也会影响灯的使用寿命。一般而言,和提高电压相比,提高灯的频率(fEL)会更迅速减少灯使用寿命。EL灯的使用寿命一般采用亮度减半时的工作时间(TTHL),即,“半亮度寿命”时间表示,它是在一定电压和频率下,EL灯亮度降至最初亮度一半时的时间。TTHL标准通常由EL灯生产商提供,规定以千小时表示。手持产品中,灯不需要始终打开,TTHL一般不是大问题。
一般有两类EL灯:高压EL灯和低压EL灯。高压EL灯阈值电压要比低压EL灯高得多,意味着高压EL灯需要较高的峰峰值电压才能点亮。高压EL灯需采用变压器驱动电路进行驱动,而低压EL灯采用基于IC的EL驱动电路进行驱动。因此,针对每一应用选择合适的EL灯是优化电路的第一步。

图2. 用于产生较高直流输出电压的升压变压器
当开关Q接通/关断时,电感LX被冲放电。通过二极管D释放的能量存储在电容CS中。
可以按照以下方法设置LX的开关频率(fSW):

图3. SLEW引脚上的电阻和SW引脚上的电容一起用于计算LX开关频率
按下式计算LX开关频率:

图4. 90%占空比PWM信号被驱动至SW引脚

其中:
VIN = 电感供电电压
RLX = 电感阻抗
LX = 电感值
RQ = 内部DMOS开关阻抗
fSW = 电感开关频率
tON = (占空比)/fSW = 内部MOSFET开关接通时间
在确定电感是否饱和时,如果没有电流探针,则必须监控LX和D (图5)之间节点上的波形。

图5. 红色圆圈显示,应在此放置示波器探针来探测电感是否饱和
图6显示,怎样探测电感是否进入饱和状态。下面的电压波形并没有线性增加,而是弯曲向上,表明电感开始饱和。

图6. 当波形弯曲向上,而不是线性增加时,表明电感开始饱和
在正常工作范围内的电感波形与图7中的相似。下面的电压波形线性增加,表明电感没有饱和。

图7. 下面的波形线性增加表明没有出现电感饱和
为防止电感出现饱和,必须使用较短的接通时间(快速fSW)。这可以在SW引脚至GND之间使用较小的CSW来实现,也可以使用频率较高的PWM信号来实现。
我们还需要确定LX有足够的时间通过外部二极管将其存储的能量释放给CS,从而防止电感饱和。这通过为LX选择合适的fSW来实现。
由于二极管必须含有从LX传送给CS的所有能量,所以,二极管的逆向恢复时间非常重要。因此,建议MAX4990采用逆向恢复时间较快的二极管,例如BAS21或者BAS20等。
需要根据灯大小以及输出波形能够承受的波纹量来选择CS值。一般而言,建议使用的CS值是EL灯电容的值1/10。对于任意给定的fSW,较大的CS值减小了输出波形的波纹。当选择较小的CS值时,一般建议采用较大的电感开关频率。


图8. EL灯的亮度和频率同时增大
选择了fEL之后,必须选择灯的峰峰值电压(VP-P),以获得所需的亮度。通过以下方法来控制交流VP-P:


图9. 随着VP-P的增加,EL灯亮度也随之增强
对于对音频噪声敏感的应用,输出波形摆率非常重要,因为用户可以通过它来调整输出波形,从而减小EL灯产生的音频噪声。
通过RSLEW来控制输出波形的摆率,该电阻连接在SLEW引脚和GND之间。可以按照下式来计算这一摆率:

理想的输出摆率能够减小灯产生的音频噪声,它与灯的大小和机械封装有关。因此,在针对灯选择fEL时,必须考虑封装的共振频率。
在降低灯产生的音频噪声时,一般认为正弦波形是最佳选择。然而,在一定的电压和频率下,正弦波产生的亮度要比方波低。因此,必须根据每种应用的需要来优化每一电路。
随着输出波形摆率的降低,EL灯产生的音频噪声随之降低,吸收的电流也在减小。而较慢的摆率会降低灯亮度,如图10所示。

图10. 灯亮度随着摆率的降低而降低
要恢复由于摆率降低导致的亮度损失,需要提高灯的VP-P。这很容易通过提高输出电压,在给定输入电压下使用较低的fSW实现。较低的fSW延长了电感接通时间,使电感能够存储更多的能量,在每个周期中把更多的能量传送给CS。
在对音频噪声敏感的应用中,不建议对输出波形进行稳压(即,输出波形在顶部不应有平台)。针对应用选择了摆率后,必须调整输出电压以获得灯上的最佳波形。
当使用MAX4990时,对于音频噪声敏感的应用,其最佳波形如图11所示。

图11. 适合对音频噪声敏感应用的波形
MAX4990还具有另一特性,使其更适合很多应用—其慢接通/关断时间实现了EL灯逐渐接通(渐亮)和关断(渐暗)。
通过将电容CDIM和RDIM并联至GND来控制这一慢接通/关断特性(图12)。

图12. CDIM与RDIM并联至GND
慢接通/关断时间是RDIM和CDIM上电压缓慢减小的结果,可以按下式来近似计算:


图13显示了使用CDIM和并联RDIM后对EL灯慢接通/关断的影响。

图13. CDIM与RDIM并联至GND时,MAX4990的慢接通/关断

图14. MAX4990评估套件没有处于稳压状态.
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 26mA、亮度 = 24.6cd/m2、RSLEW = 100kΩ (R1 = 100kΩ,评估套件上VR1 + R1)、
6.测量fSW。这可以通过扩展VA或者VB的时间量程来实现,直至看到输出波形的最小步长,如图15所示。

图15. 可以测量步长时间来确定fSW
观察VA或者VB的上1/3,测量步长宽度(tSTEP),计算:

7.通过VC1改变fSW,增加输出电压,使其能够提供所需的亮度(图16)。

图16. 达到了足够的亮度级
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 46mA、亮度 = 35.2cd/m2、RSLEW = 100kΩ、RDIM = 73.8kΩ
8.检查波形,确定电感没有饱和,如图17所示。

图17. 波形显示没有出现电感饱和
9.按照步骤6的方程8计算fSW (图18)。

图18. 测量步长时间来确定fSW
10.对于对音频噪声敏感的应用,重复进行步骤5 (图19)。

图19. 波形没有平台,显示器件没有处于稳压状态
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 53mA、亮度 = 38.5cd/m2、RSLEW = 100kΩ、RDIM = 87kΩ
11.JU1位于2和3之间,使用VR1来改变输出波形上升沿和下降沿的摆率。注意,较快的摆率(dV/dt)提供较强的亮度,但也导致EL灯产生较大的音频噪声(图20)。

图20. 摆率调整
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 45mA、亮度 = 33.5cd/m2、RSLEW = 120.9kΩ、RDIM = 87kΩ
12.重复步骤5,确定器件没有处于稳压状态(图21)。

图21. 再次检查波形,确定器件没有处于稳压状态(没有波形平台)
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 52mA、亮度 = 38cd/m2、RSLEW = 120.9kΩ、RDIM = 114.7kΩ
13.重复步骤8,检查电感饱和(图22)。

图22. 从波形可以看出,电感没有饱和
14.重复步骤11,改变摆率(图23)。

图23. 需要进行摆率调整,以避免出现波形平台
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 36mA、亮度 = 27.7cd/m2、RSLEW = 178kΩ、RDIM = 87kΩ
15.重复步骤5,确定器件没有处于稳压状态(图24)。

图24. 波形顶部没有平台,表明器件没有处于稳压状态
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 49mA、亮度 = 36.9cd/m2、RSLEW = 178kΩ、RDIM = 181.8kΩ
16.重复步骤7、8、9、11和5 (按这一顺序),直到您的应用获得了所需的亮度,以及合适的波形(图25和图26)。

图25. 重复步骤8来检查电感饱和

图26. 重复步骤5,表明器件没有处于稳压状态
VDD = 3.6V时,测量以下参数:
IDD = 56mA、亮度 = 37.5cd/m2、RSLEW = 260.5kΩ、RDIM = 239.4kΩ
17.使用步骤6的方程8来计算fSW (图27)。

图27. 在步骤6中,可以测量步长时间来确定fSW
使用方程8,计算:

18.测量RDIM和RSLEW值。
RDIM = 239.4kΩ
RSLEW = 260.5kΩ
19.注意,RSLEW值应该是VR1 + 100kΩ上的值,这是因为评估套件上VR1串联了一个100kΩ电阻。当测量VR1和VR2值,确定评估套件断开了电源连接。
20.测量了fSW、fEL (400Hz)以及RSLEW和RDIM值之后,使用方程1和方程3来计算电路所使用的CSW和CEL值:


21.根据计算值,为您的电路选择最相近的电容值。可能需要根据所选的CSW和CEL值对RSLEW和RDIM稍作调整。
22.根据设置的RDIM值来选择CDIM,以获得所需的慢接通/关断时间。
如果用户采用商用电感来替代评估套件上的电感,需要根据新电感来重新优化电路。此外,改变灯的大小以及输入电压也需要重新优化电路。
当使用555定时器时,如果需要改变fSW以优化电路,用户应确定fSW的占空比(DC)范围在88%至90%之间。按照以下方程来设置DC范围:

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