1月6日，据台湾媒体报道，三星传出有意调降今年半导体部门资本支出，由6兆韩元大减五成至3兆韩元，而且仅达去年10兆韩元的30%，激励昨（5）日DRAM现货价开新春红盘大涨逾4%，并朝1美元关卡靠拢，创波段新高。

    三星是全球DRAM与NAND Flash龙头，DRAM市占率更超过25%，三星大砍资本支出，意味大举减产时代来临，有助舒缓供过于求问题，促使价格回升，使得上周DRAM报价大涨逾四成的状况可能重现，力晶等台湾内存芯片厂将受惠。

    业界认为，三星节制资本支出，对抒解市场供过于求绝对是好事一桩，以其削减金额庞大来看，应该是针对目前内存主力12吋晶圆的配置，绝非仅有6吋与8吋晶圆。

    根据集邦科技（DRAMeXchange）报价，1Gb DDRII DRAM有效测试颗粒（eTT）昨天已起涨，均价站上0.91美元的波段新高，涨幅超过4%；品牌颗粒报价更大涨逾5%。法人预期，有效测试颗粒报价短期将先朝1美元靠拢，若能再度掀起大涨行情，有助DRAM厂转亏为盈。

    三星上个月初才表示，今年半导体部门的资本支出，将由去年的10兆韩元缩减四成至6兆韩元，迄今不到一个月，三星消息人士再次透露，今年三星半导体部门资本支再降至不超过3兆韩元，大砍五成。

    台湾DRAM厂也纷纷缩手今年资本支出。力晶今年资本支出，由去年的300亿元降到只剩数十亿元，创近年来最低纪录。南科、华亚科、茂德虽然尚未公布今年状况，但各公司内部已有保守的共识。