图一所示电路为一简单的将Vsupply 与负载接通的开关控制电路，Vsupply 可以是正电
压、负电压或交流电压。输入电压的幅值只受到MOSFET 的Vds 的最大额定值的限制,图中所示
MOSFET Q1、Q2 的VDS极限值为50V，电路中采用的是MAX845芯片。

变压器的初级绕组和驱动IC 的工作电压是5V，它们在变压器的次级绕组产生一个隔离的
交变电压，由D1 和D2 整流产生一个供N 沟道MOSFET 使用的10 伏的VGS电压。这样产生的VGS
是一个恒定的隔离电压，不会受到VDS对地电压的变化的影响。由于负的VGS电压加在单个MOSFET
上仍会有电流流过关断状态下的MOSFET（由于内部寄生二极管处于正偏状态所引起）。故采用
两个MOSFET 源极与源极对接，这样它们的内部寄生二极管反向对接，在任何情况下都不会有
电流流过。
关闭IC 后，MOSFET 的VGS为0V，开关断开（SD=5V、开关断开，SD=0V、开关闭合）。开关
的速度取决于R1 的大小：R1 值小可以降低开关延时，但相应功耗较大（R1=1K 时，负载电流
为24 毫安）。若开关速度不是很关键，可以选取较大的R1 值将功耗电流降低到5 毫安。图2
是该电路在40V，1.2A 负载情况下的工作性能。
采用其它的开关技术有一定的不足之处，例如继电器，它的开关触点会抖动，功耗也较高。
功率MOSFET 开关的VGS最大额定值（标准器件约为20 伏，逻辑电平器件约为15 伏）使得它很
难承受超过15 伏的电压。当然也可以对栅极电压进行电平变换，但这样会浪费功率，另外较
高电压所需的较大的电阻将使开关速度降低。