带有旁通性能1SEG用宽带低噪声放大器GaAs MMIC
配备高增益和旁通模式,为1SEG播放的稳定接收做贡献

 

  新日本无线已开发完成了最适用于1SEG信号用调谐器模块的宽带低噪声" title="低噪声">低噪声放大器(下称LNA)GaAs MMIC NJG1129MD7,现开始样品供货。

  近年来,手机和车载导航等能接收1SEG信号产品在不断地增加,因终端接收信号灵敏度不足,故具有高增益/高线性" title="高线性">高线性/低噪声的高性能LNA是市场需要。
新日本无线为满足这种市场需求,开发了NJG1134HA8(08年3月27日发表)。NJG1129MD7就是为了满足市场所求的更高灵敏度,所开发了1SEG用宽带LNA GaAs MMIC。 

  该产品是可支持470~770MHz宽频带的LNA,采用W-CDMA用LNA的设计技术,增益可达到15dB typ.(@ f=470~770MHz)(而NJG1134HA8:10dB typ.(@ f=470~770MHz))
并且该产品用
GaAs HEMT程序,实现了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)和低噪声(NF=1.4dB typ.)。 

  另外,为防止离广播电台较近地区等强磁场输入时所导致的放大器失真,设有不经过内置LNA的旁通模式(Low gain模式),实现了低失真(P-1dB(IN)=+12.0dBm IP3=+20.0dBm typ.)
配备高增益和旁通模式,可以稳定地接受信号的
NJG1129MD7是最适用于手机和车载等配有1SEG调谐器模块机器。

NJG1129MD7具以下特性,最适于内置1SEG接收器的小型便携式终端。

  1. 通过旁通性能,在强磁场下也能接受稳定信号。
  2. 具有低噪声(NF=1.4dBtyp.)特性,有助于提高接受信号的灵敏度。
  3. GaAs HEMT程序,达到了高线性(P-1dB(IN)=-6.0dBm,IP3=+1.0dBmtyp.)
  4. 内置ESD保护元件,对ESD具有高耐压特性。

产品开发一览

 


产品名

性能

应用

封装

NJG1129MD7

带有旁通性能
1SEG用
宽带低噪声放大器

手机,PND,车载导航,车载AV等

EQFN14-D7

产品性能及特点概要
? 宽带:      470~770MHz
? 工作电压:    2.8V typ.
? 小型封装:    EQFN14-D7(Package size:1.6mm×1.6mm×0.397mm typ.)
? 内置ESD保护元件
【High gain模式】
? 低消耗电流:     5.0mA typ.
? 低切换电流:     5μA typ.
? 增益:        15dB typ.@ f=470~770MHz
? 低噪声:       1.4dB typ.@ f=470~770MHz
? 高输入" title="高输入">高输入P-1dB(IN):  -6.0dBm typ.@ f=470~770MHz
? 高输入IP3:     +1.0 dBm typ.@ f1=470~770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-25dBm
【Low gain模式】
? 低消耗电流:           16μA typ.
? 增益:         -4dB typ.@ f=470~770MHz
? 高输入P-1dB(IN):  +12.0 dBm typ.@ f=470~770MHz
? 高输入IP3:     +20.0 dBm typ.@ f1=470~770MHz,f2=fRF+100kHz,Pin=-12dBm

 

  生产计划/样品价格

 

  新日本无线从2008年12月开始发放NJG1129MD7样品,预计从2009年1月投产后月产50万个。样品价格为100日元。 

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