据IHS iSuppli公司的研究，目前形式的移动DRAM可能不足以满足智能手机和平板电脑的需求，因其在处理各种应用时涉及大量数据。其它形式的移动DRAM正在浮现，可能取代现有解决方案。

       低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成为移动DRAM领域中的主要技术，预计到今年第二季度将占据40%的份额，高于第一季度的31%。大部分移动DRAM市场仍然由较旧的LPDDR1技术控制，但时间不会太长了。

       到今年第四季度，情况将会发生改变，届时LLPDDR2将首次取得优势，控制58%的市场份额，如图1所示。

       移动DRAM曾经是DRAM市场中的一潭死水，但现在三星、海力士半导体、尔必达和美光等重要厂商正在向这个领域投入更多的工程与开发努力。不同于标准DRAM，移动DRAM功耗较低、发热较少而且占用的空间较小，特别适合智能手机和其它小型电子产品。这些产品都需要更强的计算能力和更小的占用空间。移动DRAM也用于数码相机、便携媒体播放器、便携游戏产品和平板电脑。

       移动DRAM面临的一个主要挑战，是其性能能否满足未来产品的要求。虽然LPDDR2现在对于手机和平板电脑来说已足够，但功耗和宽带问题仍然令人关注。

        例如，工作电压为1.2V的时候，LPDDR2在每次数据传输中可以比LPDDR1节省50%左右的功耗。但是，如果未来设备的数据传输量是目前的10倍——很快就会达到这样的水平，则LPDDR2将根本无法满足要求。

       LPDDR2的传输速度是每秒8.5GB，而LPDDR1只有1066MHz，这点也很突出。但LPDDR2这样的速度可能不足以满足即将推出的产品。智能和机厂商的反馈显示，需要数据率高达每秒12.8GB，这将要求LPDDR2把时钟频率提高到800MHz，而IHS公司认为这似乎不太可行。

       下一步是什么？

       由于LPDDR2可能达到性能极限，并很快无力满足更高的要求，几种移动DRAM技术正在争取人们的关注，试图取而代之，如表1所示。
 

       目前处于前列的包括：Rambus公司的移动XDR；SPMT联盟开发的串行端口内存技术，准备充当免授权费的内存接口。

       其它移动DRAM技术包括Wide I/O，声称要在硅片层面连接DRAM内核，但不一定是移动技术；LPDDR3，其参数仍然未定；DDR4，一种标准DRAM，在2013年以前可能不会面世。

       Mike Howard是IHS公司的DRAM与内存首席分析师。