对于包含有大电容量的装置而言，控制浪涌电流成为一大难题。最简单的方法就是将浪涌限幅电阻器与电容器组串联，但电阻器会浪费功率并增加压降。图1所示电路解决了这一难题并能提供其它优势。在启动时，双极型 PNP晶体管Q₂使N沟道功率MOSFET晶体管Q₁保持关断，直到电容器C_l两端的电压高到足以关断Q₂的电平为止。在此时间间隔内，电阻器R₁为C₁及电路其它元件提供启动电流。当Q₂关断时，Q₁导通并在 R₁两端提供一条低阻通道。当关闭外部电源时，电路随C₁放电而复位。
　　作为额外好处，该电路还可提供

短路负载保护。随着通过Q₁的电流增大，Q₁两端的压降也由于Q₁内部导通电阻而增大。当Q₁两端的电压降至约 0.6V（Q2的 VBE(ON)电压）时，Q₂导通且Q₁关断，并迫使负载电流通过R₁。消除短路恢复正常工作，并使Q₂关断及Q₁导通。请注意：由于Q₁导通电阻充当该功能的检流电阻器，故短路消除点可随环境温度及Q₁的特性而变化。您可以通过选择R₁与Q₁的导通电阻特性来调整Q₁的导通和关断阀值。增加一个与Q₂ 发射极相串联的普通二极管或齐纳二极管，就可增加短路脱扣电流。

　　用于构建此电路的元器件及其参数值取决于具体应用。根据设计要求，您可能需要为R₁选择一个大功率电阻器，或给 Q₁增加一片散热片。但对于许多应用，该电路比其它常规方法更节省功率。