7月2日消息，全球顶尖半导体研究机构比利时微电子研究中心（imec）近日发布2026年制程技术路线图，预测2038年有望实现0.3纳米制程工艺，并指出互补式场效应晶体管（CFET）架构是突破下一代先进制程的核心技术。

这份imec技术路线图由台积电、英特尔、英伟达、AMD、三星、ASML等行业巨头共同参与编制，清晰展示了未来芯片制造面临的技术挑战与发展规划，业内分析认为，imec最新制程路线图的发布，印证摩尔定律仍将持续演进。

在技术细节方面，CFET晶体管通过将N型和P型晶体管垂直堆叠，而非传统的平面并排布局，能够显著提升晶体管密度、降低功耗并改善性能，这一技术被认为是延续摩尔定律、突破2纳米以下制程瓶颈的关键路径。

台积电作为全球最大晶圆代工厂，已提前布局CFET晶体管技术研究，持续保持行业技术领先优势，根据台积电此前公布的规划，公司计划在2028年至2030年间量产采用CFET技术的先进制程芯片。

值得一提的是，0.3纳米制程已接近原子尺度（硅原子直径约0.2纳米），实现这一目标需要在材料科学、制造设备、架构设计等多个领域取得革命性突破。