3 月 31 日消息，《韩国经济日报》当地时间昨日援引业内消息报道称，三星电子的晶圆代工业务已定下 2030 年前完成 1nm 级先进制程工艺 SF1.0 开发并转移至量产阶段的目标。
报道指出，SF1.0 将采用 forksheet 叉片晶体管器件结构，这是现有 nanosheet GAA 全环绕栅极晶体管的演化。其在标准 GAA 的基础上新增介质壁，可进一步提升晶体管密度与性能，该结构又分为“内壁”与“外壁”两种类型。
▲ 内壁 forksheet，介质壁位于 nMOS 与 pMOS 之间图源：imec
▲ 外壁 forksheet，介质壁位于 p-n 结外侧图源：imec
此外报道提到，三星电子计划 2027 年实现 SF2P+ 工艺的商业化投产，而特斯拉的 AI6 芯片则将以 SF2T 工艺于 2027 年量产。
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