1月17日消息，韩国KAIST学者Kim Jung-Ho昨日在一场论坛研讨会上表示，尽管HBM高带宽内存从初代推出到走至半导体产业舞台中央花了近10年的时间，但HBF高带宽闪存的这一过程将更为迅速。

一方面，几大存储原厂在开发HBM时积攒了大量堆栈构建方面的设计和工艺技术；另一方面，AI的爆炸式发展导致HBM在容量上已难以满足AI负载的数据需求。

继SK海力士后，三星电子也加入了闪迪首创的HBF技术阵营，三方正合作实现HBF的标准化。业内人士预测，HBF的带宽将超过1638GB/s（注：相当于PCIe 6.0×4的50倍），容量则将达到512GB。

在商业化进程上，SK海力士有望在本月晚些时候展示HBF的早期测试版本，三星电子与闪迪正向2027年底~2028年初应用于英伟达、AMD、谷歌的AI XPU这一目标迈进。而HBF的广泛应用则将等到HBM6发布，届时单个基础裸片将集成多组存储堆栈。

Kim Jung-Ho认为，HBM与HBF的关系犹如书房与图书馆，前者容量较小、应用更为方便，后者容量更大、延迟更高；针对NAND闪存与DRAM内存的底层区别，软件工程师需对操作HBF中数据的算法进行优化，尽量减少写入次数。