1月18日消息，据“中核集团”公众号发文，由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的我国首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）已成功实现出束，其核心指标达到国际先进水平。

这标志着我国全面掌握了该型设备的全链路研发技术，攻克了功率半导体制造链上的关键环节，为推进高端制造装备自主可控、保障产业链安全奠定了坚实基础。

离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为芯片制造“四大核心装备”，是半导体制造中不可或缺的关键设备。长期以来，我国高能氢离子注入机完全依赖进口，由于研发难度大、技术壁垒高，成为制约我国战略性产业发展的瓶颈之一。

原子能院依托在核物理加速器领域数十年的技术积累，以串列加速器技术为核心，攻克了一系列难题，实现了从底层原理到整机集成的完全正向设计能力，成功打破了国外在该领域的技术封锁与长期垄断。

此次高能氢离子注入机的研制成功，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有力提升我国在功率半导体等关键领域的自主保障能力，并为助力实现“双碳”目标、加快形成新质生产力提供坚实的技术支撑。