4月24日消息，除了发展N2、A16、A14等采用GAAFET全环绕晶体管的全新工艺，台积电还在持续挖掘传统FinFET立体晶体管的极限，最后一代用它的N3系列工艺节点仍在不断演进。

在美国举办的北美技术论坛2025上，台积电最新宣布，3nm级工艺的第三代N3P已经在2024年第四季度投入量产，第四代N3X则会在今年下半年投产。

N3P就是第二代N3E的升级版，面向需要高性能的客户端、数据中心应用，同时保持IP与设计兼容。

按照官方数据，N3P同等功耗下的性能可再提升约5％，而同等性能下的功耗可再降低5-10％，另外晶体管密度提升4％，尤其是SRAM缩放的提升较为明显。

苹果M3/M4、高通骁龙8至尊版、联发科天玑9400/9400+等都用的N3E工艺，不知道今年的升级换代会不会都上N3P？还是直奔N2？

N3X则是N3P的再次升级版，可继续将同等功耗性能提升5％，同等性能功耗降低7％。

更关键的是，N3X支持最高达1.2V的电压，从而将频率、性能挖掘到极致，但代价就是漏电率骤然增大最多250％，因此芯片设计要非常慎重。

根据路线图，台积电N3明年还会有N3A、N3C两个版本，但未做具体介绍，从定位看N3C是超低成本，定位很低。

PS：台积电N3其实还有个特殊版本N3B，但性能和成本都不算太好，大客户中只有Intel一家在用，就是Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤种。